GENxcel MBE系统
荣获化合物半导体制造 CS 行业奖；
单次可生长1x4”或者3x2” 外延片；
最高生长温度可达1850℃；
最多可配置12个源炉；
手动传样；
一体化框架设计使占地尺寸比其他同等级系统小40%。
研发成果直接推广至GEN200 和 GEN2000 MBE 系统。
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荣获化合物半导体制造 CS 行业奖；
单次可生长1x4”或者3x2” 外延片；
最高生长温度可达1850℃；
最多可配置12个源炉；
手动传样；
一体化框架设计使占地尺寸比其他同等级系统小40%。
研发成果直接推广至GEN200 和 GEN2000 MBE 系统。
