单次可生长23x3”, 14x4”, 7x6”或3x8”外延片;
最高生长温度可达1200℃;
最多可配置12个源炉;
自动传样;
提供行业内最低的晶片成本;
优异设计比同类系统少40%- 60%的占地面积;
最多可配置两个生长室并真空连接。