GEN20 MBE 系统
单次可生长1x4”或3x2”外延片；
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
最多可配置两个生长室并真空连接。
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单次可生长1x4”或3x2”外延片；
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
最多可配置两个生长室并真空连接。
