GENxplor MBE 系统
荣获化合物半导体制造 CS 行业奖；
单次可生长1x3” 外延片；
最高生长温度可达1850℃；
最多可配置10个源炉；
手动传样；
一体化框架设计使占地尺寸比其他同等级系统小40%。
研发成果直接推广至 GEN20™、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统。
上一个：GEN20 MBE 系统
下一个：GEN10 MBE 系统
荣获化合物半导体制造 CS 行业奖；
单次可生长1x3” 外延片；
最高生长温度可达1850℃；
最多可配置10个源炉；
手动传样；
一体化框架设计使占地尺寸比其他同等级系统小40%。
研发成果直接推广至 GEN20™、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统。
