GEN200 MBE 系统
单次可生长14x2”, 7x3”, 4x4”或者1x8” 外延片；
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
最多可配置两个生长室并真空连接。
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
最多可配置两个生长室并真空连接。
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