INFINITY ®离子束刻蚀系统 -(IBE）

丹顿专利技术

反应离子刻蚀+化学辅助沉积基品偏压技术，保持低能量

卖点：

低等离子体损伤可针对不同基片材料选择刻蚀速率。

可选配二次离子质谱仪(SIMS)，分层刻蚀技术，实施功效分析

可处理8”及以下多个基片

兼容兼容Versa®多腔室生产平台，可选配单片/多片自动进样室

刻蚀工艺应用

FBARandSAWTrimming

CompoundsemiconductorAuetchSuperconductingMetalEtch

HardMaterialEtch(AlTiC,Oxides)

功效分析应用

Semiconductorfailureanalysis

Chipdesignassessment

Reverseengineering

Microdisplayfailureanalysis